《表1 采用不同结构和不同技术的1 200 V MOSFET导通电阻对比》
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取VDS=1.5 V，计算其导通电阻Ron，其结果如表1所示。
| 图表编号 | XD00151007100 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2020.07.30 |
| 作者 | 韩忠霖、白云、陈宏、杨成樾 |
| 绘制单位 | 中国科学院微电子研究所、中国科学院大学微电子学院、中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
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