《表2 DFN 8×8引线键合与铜片夹扣键合导通电阻》

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《铜片夹扣键合QFN功率器件封装技术》

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伴随着芯片表面焊接面积与截面积的提升，铜片夹扣键合工艺有效降低了产品的封装导通电阻，相比于铜线或者铝线键合工艺，其互联导通电阻下降幅度高达50%，在相同的电压电流输出条件下，器件的导通损耗也相应降低，以图1中DFN8×8器件为例，10 V、20 A测量条件下2种产品实际测量导通电阻如表2所示，其中引线键合产品平均6.54 mΩ，铜片夹扣键合产品平均4.75 mΩ，平均导通电阻降低30%。