《表1 剪断键合线后模块导通电阻值》

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《基于模块导通电阻的碳化硅MOSFET键合线健康状态评估方法》

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采用上述方法，对Si C MOSFET模块测量依次剪断键合线。恒温箱固定于25℃，栅极电压为20V，漏极电流为20 A，测得的导通电阻如图10所示，当剪断14根键合线后，导通电阻发生了较大的变化，增加了5.064%。当键合线断裂根数大于14时，剩余键合线上分得电流会骤增，加速SiC MOSFET模块的老化和其他键合线的断裂，此时认为SiC MOSFET为病态，应及时更换。根据图10所示的剪断不同键合线根数对应的导通电阻值，如表1所示，得知随着键合线的变少，导通电阻值的变化速度加快。当键合线脱落根数达到60%的时，通态电阻增加5.064%，认为模块达到了病态。