《表7 导通电阻拟合效果比较》

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《Si C MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合》

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Agilent B1505A功率半导体分析仪不能直接求得Si C MOSFET功率器件的导通电阻，本文通过输出特性曲线中获得Si C MOSFET功率器件的导通电阻Ron，并将器件导通电阻Ron看作关于漏极电流id、结温Tj以及栅源极电压ugs的函数，即Ron=f（id，Tj，ugs）。为了方便作图，本文展示的为ugs=20 V时的拟合结果，如图20和表7所示。可看出导通电阻Ron呈正温度特性，随着温度上升，漂移层和JEFT区的电阻率上升，为正温度系数。另外，导电沟道的反型层中电子迁移率降低，而沟道电阻与电子迁移率成反比，即为正温度系数[25]，故导通电阻整体呈正温度特性。