《表2 断开芯片后模块导通电阻值》

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《基于模块导通电阻的碳化硅MOSFET键合线健康状态评估方法》

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利用上述方法，图11为当被测模块处于25℃，栅极电压为20 V，漏极电流为20 A时，SiC MOSFET芯片的断开块数与导通电阻之间的关系。当仅一个SiC MOSFET芯片断开时，导通电阻增加6.56%，超过了病态导通电阻的临界值。这是因为单个SiC MOSFET芯片相对于键合线阻值较大且只有6块并联。因此一块芯片断开连接，就是使导通电阻骤增。表2为随着芯片断开数量的增多，模块的导通电阻增大加快。由于当单个SiC MOSFET芯片因键合线故障而发生断开时，其他的SiC MOSFET芯片因并联分流的原因，所承受电流将大大高于额定电流，将会加速老化，甚至击穿。此时，需要更换SiC MOSFET模块。