《表8 不同预键合运动幅度的键合实验》

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《铜引线键合中芯片焊盘裂纹成因及消除研究》

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表8为不同预键合运动幅度的键合实验，当逐渐增加预键合摩擦运动的幅度时，裂纹的数量逐渐增加，当预键合摩擦运动的幅度为5μm时，裂纹的数量突然增大，这是因为增加预键合摩擦运动的幅度即是增加了铜球的运动范围。增大铜球与铝层的接触面积能够平衡铜球对芯片焊盘的应力，当继续增大幅度时，铜球与铝层增大的接触面积使芯片的焊盘形成张应力，导致裂纹的形成。图15为预键合摩擦运动幅度为5μm时焊盘ILD层上形成的裂纹形貌，从图中可以看到：当预键合摩擦运动的幅度设置过大时，裂纹呈S型，分布在每个ILD层表面的中心位置。