《表1 铜引线键合中实验材料信息》
本实验基于0.18μm芯片技术的产品来研究芯片焊盘上裂纹的减少及消除过程,具体的铜引线键合中实验材料信息如表1所示。
图表编号 | XD00103050300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.11.20 |
作者 | 刘美、王志杰、孙志美、牛继勇、徐艳博 |
绘制单位 | 恩智浦半导体(中国)有限公司、恩智浦半导体(中国)有限公司、恩智浦半导体(中国)有限公司、恩智浦半导体(中国)有限公司、恩智浦半导体(中国)有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
本实验基于0.18μm芯片技术的产品来研究芯片焊盘上裂纹的减少及消除过程,具体的铜引线键合中实验材料信息如表1所示。
图表编号 | XD00103050300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.11.20 |
作者 | 刘美、王志杰、孙志美、牛继勇、徐艳博 |
绘制单位 | 恩智浦半导体(中国)有限公司、恩智浦半导体(中国)有限公司、恩智浦半导体(中国)有限公司、恩智浦半导体(中国)有限公司、恩智浦半导体(中国)有限公司 |
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