《表1 实验过程中的相关参数》

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《GaN体单晶的氨热生长及应力调控》

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图3（a）为实验1截面Raman在E2（high）峰值的线扫，数据显示拉曼频移的波动较大，表明实验1生长的GaN晶体内部受力极不均匀，会造成在晶体内部受张应力和压应力频繁交替的状态，且应力变化大，导致生长的晶体出现了大量裂纹。