《表1 正交实验设计表：InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术》
提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名：随高清版一同展现
《InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术》
采用正交实验设计方法进行实验方案设计，研究因素包括SiH4/N2比例、RF功率和腔室压力，从SiNx薄膜应力和腐蚀速率两方面综合分析工艺参数的重要性和最优组合。正交实验方案如表1所示，其中沉积温度皆为75℃，薄膜厚度均为400 nm。
| 图表编号 | XD0065887400 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.06.20 |
| 作者 | 龚燕妮、杨文运、杨绍培、范明国、褚祝军 |
| 绘制单位 | 北方夜视技术股份有限公司、北方夜视科技集团有限公司、北方夜视科技集团有限公司、北方夜视科技集团有限公司、北方夜视科技集团有限公司、北方夜视技术股份有限公司、北方夜视科技集团有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
