《表1 生长了不同钝化膜的3种光电二级管样品的注入尺寸设计》

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《不同钝化膜对InSb光伏探测器性能影响研究》

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实验选用同一锭条的N型In Sb单晶片，In面抛光，选用3个样品，编号为1、2、3。In Sb材料经离子注入成结后，采用PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition）对In Sb探测器芯片进行表面钝化，经金属电极制备及电极成型后，测试芯片的I-V特性曲线。设计生长3种不同钝化膜：样品1选用Si O2钝化膜（钝化膜1）、样品2选用Si Nx钝化膜（钝化膜2）、样品3选用Si O2+Si Nx复合钝化膜（钝化膜3）。3个样品钝化膜生长温度均为250℃，经同一批次芯片工艺制备成同样的测试结构。具体的实验设计情况如表1所示，3个样品选用的测试结构是一系列不同注入尺寸的正方形光敏元，注入区光敏元面积从大到小依次为500?m×500?m、375?m×375?m、300?m×300?m、150?m×150?m、50?m×50?m，对应面积/周长比（P/A）分别为80、106.6、133.3、266.6、800。选用3片未经注入的N型衬底制备MIS(metal-insulator-semiconductor）结构（金属-绝缘层-半导体），样品编号为4、5、6。样品4生长钝化膜1，样品5生长钝化膜2，样品6生长钝化膜3，与样品1、2、3同时生长钝化膜，制备成MIS结构后，通过测试In Sb MIS结构的C-V特性来评价不同钝化膜的电学性能。