《表2 表面漏电流密度线性拟合结果》

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《不同钝化膜对InSb光伏探测器性能影响研究》

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从图3可知，随着P/A的增加，样品3的暗电流密度基本不变，样品1和样品2在P/A=80时（结面积250000?m2）均表现出暗电流密度较大，从P/A=106开始，暗电流密度随P/A比的增加逐渐增加。根据公式（1），对3个样品-0.1 V时的暗电流密度进行了线性拟合，并分别计算了3个样品表面漏电流在总暗电流的占比（IS/I）情况，拟合结果见表2，IS/I随P/A的变化见图4。