《表3 不同成膜电位下钝化膜的施主密度ND和受主密度NA》

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由式(2)可知,ND与Mott-Schottky曲线的斜率成反比,如图4所示。随着成膜电压的升高,斜率呈减小的趋势。表3是由式(2)、式(3)计算得出的施主密度和受主密度。可见,随着成膜电位的升高,施主密度ND和受主密度NA均增大,说明钝化膜内的氧空位和金属离子的空缺随着成膜电位的升高而增多。因此,当成膜电位为0.2 V时,曲线的斜率最大,铁氧化物中施主浓度最小,耐点蚀性能最好。成膜电位为1.0 V时,耐点蚀性最差。这可能是由于在高的成膜电位下,金属表面吸附了更多的Cl-,由点缺陷模型可知,Cl-会吸附在钝化膜/溶液界面的氧空位处,通过Mott-Schottky Pair反应产生氧空位/金属离子空位对,生成的氧空位继续与Cl-反应,产生更多的金属离子空位,从而使钝化膜中的缺陷不断增加,而点蚀更容易在钝化膜的缺陷部位萌生发展[18]。