《表3 不同含量TEOS的复合硅烷膜的腐蚀电流密度与腐蚀电位》

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《常温固化高硬度硅烷膜的制备及其性能》

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图4为不同TEOS、四乙烯五胺用量所得复合硅烷膜的极化曲线，基材为Q235低碳钢。图4a对应的腐蚀电流密度与腐蚀电位见表3。可以看出:随着TEOS含量增加，硅烷膜的腐蚀电流呈现密度先下降后上升的趋势，当TEOS含量从0增加1%时，腐蚀电流密度由4.064×10-5A/cm2变为2.779×10-5A/cm2，腐蚀电流密度降低，说明含TEOS的复合硅烷膜交联密度大，阻隔性能优于不含TEOS硅烷膜的，降低了电子的迁移速率，抑制了金属腐蚀。从腐蚀电位看，不含TEOS硅烷膜的不锈钢的腐蚀电位为-0.632 V，而含2%TEOS复合硅烷膜的不锈钢的腐蚀电位正移到-0.557 V，表明添加TEOS的复合硅烷膜对腐蚀反应阳极过程的抑制能力比未添加TEOS硅烷膜的强。从图4b可以发现，添加四乙烯五胺并没有显著改变硅烷膜的耐蚀性。