《表3 不同膜层的腐蚀电位和腐蚀电流密度》

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《微弧氧化增强镁合金钼酸盐转化膜层的制备》

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图9为钼酸盐转化膜、微弧氧化膜和微弧氧化增强的钼酸盐转化膜的极化曲线，表3为极化曲线所对应膜层的腐蚀电位和腐蚀电流密度。由图9和表3可以看出，微弧氧化增强的钼酸盐转化膜的腐蚀电位为–0.498 V，较钼酸盐转化膜的腐蚀电位正移0.643 V，较微弧氧化膜的腐蚀电位正移0.419 V；微弧氧化增强的钼酸盐转化膜的腐蚀电流密度为5.32×10–8 A/cm2，较钼酸盐转化膜降低了3个数量级，较微弧氧化膜降低了1个数量级。这说明钼酸盐转化膜经过微弧氧化处理后，耐蚀性明显增强。