《表1 镁合金基体和不同时间HESP处理基体表面磁控溅射铝膜的自腐蚀电位和自腐蚀电流密度》

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《高能喷丸镁合金表面磁控溅射铝膜的微观结构和耐腐蚀性能》

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由图5和表1可知：各试样均在质量分数3.5%NaCl溶液中发生了活化溶解反应，阳极极化曲线上不存在典型的活化钝化转变区、钝化区及过钝化区等特征，说明在腐蚀过程中试样表面未出现钝化现象；与镁合金基体相比，磁控溅射铝膜的自腐蚀电位正移，且随着HESP处理基体表面时间的延长，铝膜的自腐蚀电位正移，说明铝膜的腐蚀程度变轻；HESP处理基体表面磁控溅射铝膜的自腐蚀电流密度显著低于镁合金基体和未经HESP处理基体表面磁控溅射铝膜的。当制备的膜层较薄时，在腐蚀过程中腐蚀液会透过膜层而形成腐蚀电池，引起膜层的自腐蚀电流密度发生变化，因此可以通过自腐蚀电流密度的大小来判断膜层的腐蚀速率。一般自腐蚀电流密度越大，腐蚀速率越快[13]。由于在未经HESP处理基体表面的磁控溅射铝膜疏松多孔，且铝膜较薄，导致铝膜的局部区域发生点蚀，而为腐蚀电池的形成创造了条件，因此自腐蚀电流密度较大。在HESP处理基体表面，铝膜的致密程度增大，自腐蚀电流密度较小，耐腐蚀性能较好。综上可知：在基体表面直接磁控溅射的铝膜并未对镁合金基体起到保护作用，反而加速了镁合金的腐蚀；而在HESP处理的基体表面磁控溅射铝膜的微观结构得到改善，其耐腐蚀性能提高。