《表1 不同气氛下退火的p-Ga N样品的电学性质Tab.1 Electrical properties of p-Ga N samples under different annealing amb

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《退火气氛对p-GaN材料及其欧姆接触性能的影响》

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首先研究不同退火气氛对上述样品电学性质的影响。各个样品的电阻率、空穴浓度和迁移率如表1所示。未退火的样品高阻，无法测试出其电学性质，说明未经退火处理，Ga N中的Mg没有激活。经过退火处理后，在N2和O2中处理的样品电学性质接近，空穴浓度分别为4.56×1017和5.50×1017cm-3，电阻率分别为3.52和2.73Ω·cm。说明在N2和O2中退火都可一定程度地激活Mg，获得p-Ga N材料。在空气中退火的样品，其空穴浓度达到1.27×1018cm-3，电阻率低至0.82Ω·cm，说明空气气氛中退火可以激活更多的Mg，获得导电性更高的p-Ga N材料。