《表2 不同气氛下退火的p-Ga N样品喇曼谱的E2 (high) 和A1 (LO) 峰的强度及峰强比值Tab.2 E2 (high) and A1 (LO) peaks intensities an

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《退火气氛对p-GaN材料及其欧姆接触性能的影响》

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根据TLM方法，当I-V曲线为直线时，可以通过测量不同间距相邻电极间的I-V曲线来计算接触电阻率。每个方块电极尺寸为100μm×100μm，方块电极间距（L）分别为3，6，9，12，15，18和21μm时，其I-V曲线如图6所示。随着方块金属电极距离的增大，直线的斜率逐渐减小，相同电压下产生的电流也逐渐减小。根据TLM方法计算出比接触电阻率为4.49×10-4Ω·cm2，说明欧姆接触性能较好[16]。