《表4 研磨样品A (2) 、B (2) 中Al H3和硅粉三强峰的强度比值》

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《X射线衍射法定量分析α-AlH_3晶型纯度》

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由于研磨会对样品产生应力作用，通过研磨混合样品有可能会使Al H3和硅粉晶体有择优取向甚至会使Al H3发生释氢，将研磨后样品的XRD谱图中三强峰（Al H3为I （012）、I（104）、I（110）；硅粉为I（111）、I（220）、I（311）） 的强度比与PDF卡片中三强峰的理论强度比进行对比，可知研磨后晶体是否有择优取向，结果见表4。混合样品A（2）、B（2）的三强峰的强度比与理论值相差不大，说明研磨30 min没有使Al H3和硅粉晶体发生明显的择优取向。因此，通过短时间研磨来处理Al H3和硅粉样品所得到的衍射峰强度的数据是可行的。