《表3 S-1*与S-2*样品在退火前后的电学性能参数Table 3 Electrical properties of samples S-1*and S-2*before and after ann

《表3 S-1*与S-2*样品在退火前后的电学性能参数Table 3 Electrical properties of samples S-1*and S-2*before and after ann   提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《基于不同溅射方法制备铜锌锡硫薄膜及太阳电池》


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为了研究低温退火对CZTS薄膜中缺陷态的影响，把CZTS薄膜样品S-1*和S-2*放入烘烤箱在200℃、大气条件下进行退火15 h。表3为采用Hall测试仪测得的样品S-1*和S-2*的退火前后的电学特性参数，从表3可以看出，退火前S-1*与S-2*的载流子浓度偏高，达到1019~1020 cm–3，而迁移率较低，低于1 cm2/V·s。这可能是由于CZTS薄膜中晶体内部的大量缺陷态导致，因为CZTS薄膜中的载流子是由多种缺陷态提供的，所以载流子的浓度较高就意味着缺陷态的浓度较高。而经过15 h的退火后，样品S-1*与样品S-2*的载流子浓度显著下降到1016 cm–3，迁移率分别提高到102和168 cm2/（V·s）。从电池性能的角度考虑，根据式（6）[26]

图表编号XD0022815300    严禁用于非法目的
绘制时间2018.07.01
作者徐信、蒋志、李志山、陆熠磊、王书荣
绘制单位云南师范大学云南省农村能源工程重点实验室、云南师范大学云南省农村能源工程重点实验室、云南师范大学云南省农村能源工程重点实验室、云南师范大学云南省农村能源工程重点实验室、云南师范大学云南省农村能源工程重点实验室
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