《表1 SHJ电池的电学性能与退火温度的关系》

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《高效硅基异质结太阳电池的ITO薄膜研究》


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注:Pm—最大输出功率;Isc—短路电流;Voc—开路电压;FF—填充因子;Eff—光电转换效率。

采用非晶的ITO薄膜作为SHJ太阳电池的窗口层材料,将电池在退火炉中进行退火处理。考虑非晶硅的沉积温度[16]以及银浆的固化温度的影响,分别将电池在180、190和200℃条件下退火30 min,并用I-V测试仪分析太阳电池性能,所得I-V数据如表1所示。从前文实验结果可得知,当退火温度上升时,非晶ITO薄膜光吸收增加,其透过率降低,同时电阻率升高。所以,伴随退火温度的上升,电池的短路电流和填充因子逐渐降低,其光电转换效率也呈降低的趋势。