《表2 CZTS薄膜样品S-1与S-2的元素组分Table 2 Elemental constituent ratios of copper zinc tin sulfur (CZTS) film s

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《基于不同溅射方法制备铜锌锡硫薄膜及太阳电池》

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Samples S-1 and S-2 represent the MP-2 annealed at 240℃for 30 min in N2 atmosphere and then vulcanized at 580℃for 20 min，respectively.

在240℃的温度下将分步溅射预制层与共溅射预制层同时合金，根据升温速率对金属预制层硫化的影响研究[15]，采用先慢后快的升温模式对两种预制层进行硫化，分别得到编号为S-1与S-2的CZTS薄膜样品。硫化过程采用的温度–时间曲线如图1所示。首先以20℃/min的升温速率从20℃升至480℃，然后以40℃/min的升温速率从480℃快速升至580℃，在该温度下保持20 min，然后以大约50℃/min的速率降至室温。用EDX测量元素组分，预制层中Cu/（Zn+Sn）的值与Zn/Sn的值列于表1，吸收层中Cu/（Zn+Sn）的值与Zn/Sn的值列于表2。可见实际溅射得到的组分与设计的组分差别较小，说明所测的各金属靶材的溅射速率接近实际值。