《表1 不同退火温度样品在不同测试温度下的介质层电容Tab.1 Dielectric layer capacitances of samples at different an-nealing and
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《不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析》
本实验中所有样品的值即介质层电容（Ci）的估算结果如表1所示，可以看出对于所有退火温度的样品，测试温度升高，Ci增大；而在同样的测试温度下，整体而言退火温度高的样品其Ci大于退火温度低的样品，这可能是因为随着退火温度的升高，介质层厚度减小导致Ci增大。
| 图表编号 | XD00188432700 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.07.03 |
| 作者 | 董升旭、白云、杨成樾、汤益丹、陈宏、田晓丽、刘新宇 |
| 绘制单位 | 中国科学院微电子研究所、中国科学院大学、中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院大学、中国科学院微电子研究所、中国科学院大学、中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子研究所 |
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