《表1 Sence-Switch型p FLASH单元“开/关”态电参数统计Tab.1 Electrical parameters statistics of the“on/off”states of

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《Sence-Switch型pFLASH单元制备及特性》

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同时，考察了Sence-Switch型p FLASH单元的T1/T2管编程/擦除态的阈值窗口（ΔVth=Vth-ERS-Vth-PGM，其中Vth-ERS和Vth-PGM分别为擦除态和编程态的阈值电压）、T2管“开”态驱动电流（Id2_ON）（Vd2=-1.5 V，Vcg=0 V） 和T2管“关”态漏电流（Id2_OFF）（Vd2=-1.5 V，Vcg=0 V） 的一致性，如图5所示，图中ξ为累积率，Vth为阈值电压，T1（2）-PRE表示T1（T2）管的初始态，T1（2）-ERS表示T1（T2）管的擦除态，T1（2）-PGM表示T1（T2）管的编程态。如图5和表1（表中Id为漏电流）所示，从68个阵列（一个阵列为16×8个单元）样品统计结果可知，“开/关”态电参数均表现出了良好的一致性，T1/T2管阈值窗口的均值、均一性（标准偏差/均值×100%）分别约为9.2 V和2.4%；编程/擦除之后的T1与T2管阈值电压极差值由T1/T2管初始阈值电压极差值决定，其值约为0.48 V；T2管“关”态的漏电流均在1 p A/μm以下，T2管“开”态的驱动电流均值为116.22μA/μm，均一性为5.61%。