《表1 Push-Pull型p FLASH开关单元“编程/擦除”特性参数统计表 (样品数:1 000) Tab.1 Statistics of the programming and erasing

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《Push-Pull型pFLASH开关单元结构设计及特性》

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采用BTBT和FN对Push-Pull型p FLASH开关单元进行编程和擦除，其T1和T2的“初始”（ini）、“编程”（PGM）、“擦除”（ERS）态阈值特性曲线（即控制栅电压VCG与漏端电流|ID|）如图4所示，T1/T2管经过编程/擦除后，其阈值特征曲线表现出了良好的对称性和一致性，同时，具有较宽的阈值窗口:当T1编程、T2擦除（T1_PGM-T2_ERS）时，T1与T2之间的阈值窗口（ΔVT_T1T2）及其非均一性分别约为10.56 V，1.55%；当T1擦除、T2编程（T1_ERS-T2_PGM）时，T1与T2之间阈值窗口（ΔVT_T1T2）及其非均一性分别约为10.75 V，1.71%；当“T1_PGM-T2_ERS”或“T1_ERS-T2_PGM”态再经过T1/T2擦除时，其中T2/T1需要经过2次擦除，第2次擦除较第1次擦除的阈值改变量约0.32~0.35 V，具体参数统计如表1所示，表中“VT_ERS_T1/T2”表示“T1/T2擦除态阈值电压”、“VT_PGM_T1/T2”表示“T1/T2编程态阈值电压”、“ΔVT_T1/T2”表示“T1/T2阈值窗口电压”) 。同时，实验也考察了T1/T2编程应力对T2/T1的“擦除”态的影响，以及“开/关”态应力对T1/T2的“编程/擦除”态的影响，由表1分析可知，二者应力因素影响可以忽略，也验证了该编程和读取方式与该结构设计的匹配性和正确性。