《表1 P+接地SCR在不同阱间距下的主要ESD特性参数Tab.1 The main ESD characteristics of P+grounded SCR with different well
当P+接地SCR的阳极和阴极分别接TLP信号的高低电位时,在满足设计要求的漏电流测试条件下,获得具有不同阱间距的P+接地SCR器件的V-T曲线,如图3所示。随着阱间距L增大,衬底寄生电阻变大,寄生的NPN三极管更易开启,及时泄放ESD电流,有利于快速开启。根据上文开启时间的定义,分别提取图3的TLP测试中的关键特性参数,如表1所示。随着L增大,P+接地SCR器件的Ton不断减小。
图表编号 | XD0021734800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.04.25 |
作者 | 马艺珂、梁海莲、顾晓峰、王鑫、刘湖云 |
绘制单位 | 物联网技术应用教育部工程中心江南大学电子工程系、物联网技术应用教育部工程中心江南大学电子工程系、物联网技术应用教育部工程中心江南大学电子工程系、物联网技术应用教育部工程中心江南大学电子工程系、物联网技术应用教育部工程中心江南大学电子工程系 |
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