《表1 ESD抗静电测试实验数据Tab.1 Test data of ESD》

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《GaN基白光LED可靠性研究与失效分析》

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测试初始电压为0 V，以500 V为一个阶段渐次增加放电电压，发生初次击穿时的电压即为LED器件的击穿电压，记录此时放电电压和漏电电流，得到表1。其中1号灯珠的击穿电压为0V，表明该样品存在反向漏电现象，在测试前反向电流即大于10μA。从表1所示测试结果可以看出，失效样品芯片的抗静电电压较低，灯珠被击穿后反向漏电电流在100 mA左右，部分灯珠测试前已经存在反向漏电。参照国际静电协会ANSI-ESDSTM5.1.2-1999标准（表2）可知LED样品的抗静电能力不强，推测LED灯珠中可能存在静电击穿导致的失效。