《表3 FIB断开ESD保护电路前后噪声电压Vrms测试数据》
基于ASIC芯片的设计,怀疑漏电流通道存在于偏置电压的ESD保护电路内部。通过FIB断开ESD保护电路,在Vdd=2.75V的工作电压下,对样品#1,#2重新测试其噪声电压Vrms,测试结果参见表3。
图表编号 | XD0016093200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.01.05 |
作者 | 张永强、熊小平、韦磊、刘旭光 |
绘制单位 | 楼氏电子(苏州)有限公司、楼氏电子(苏州)有限公司、楼氏电子(苏州)有限公司、楼氏电子(苏州)有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |