《表3 FIB断开ESD保护电路前后噪声电压Vrms测试数据》

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基于ASIC芯片的设计,怀疑漏电流通道存在于偏置电压的ESD保护电路内部。通过FIB断开ESD保护电路,在Vdd=2.75V的工作电压下,对样品#1,#2重新测试其噪声电压Vrms,测试结果参见表3。