《表1 辐照后不同阈值下热像素数量占所有像素的比例Tab.1Proportion of hot pixels under different thresholds pre-and post-irrad
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《CMOS图像传感器在质子辐照下热像素的产生和变化规律》
质子辐照后，部分像素的暗信号显著增大，3MeV和10 MeV质子辐照后的暗信号分布如图2所示，不同阈值下的热像素数量的占比（占像素总数比例）如表1所示。像素总数不变，采用热像素数量的占比来表示像素数量也比较方便。通过图2和表1可以看出3 MeV质子产生的热像素数量大约是10 MeV质子的2.3倍，这是因为:
| 图表编号 | XD0017638200 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.12.01 |
| 作者 | 王田珲、李豫东、文林、冯婕、蔡毓龙、马林东、张翔、郭旗 |
| 绘制单位 | 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室新疆电子信息材料与器件重点试验室中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院大学、中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室新疆电子信息材料与器件重点试验室中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室新疆电子信息材料与器件重点试验室中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室新疆电子信息材料与器件重点试验室中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室新疆电子信息材料与器件重点试验室中国 |
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