《表1 ESD, 反向浪涌电流, 单脉冲雪崩能量测试对比Tab.1 Comparison of ESD, IRSM, and EAStests》

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《功率肖特基二极管反向EOS量化检测及改善》

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不同应用领域对ESD的失效阈值电压（VESD）要求差异比较大，当功率SBD使用在电源或消费电子领域，要求VESD>2 k V或者VESD>8 k V；在工业领域，要求VESD>10 k V或VESD>20 k V。反向浪涌电流IRSM的行业测试电流脉宽一般为1~10μs，承受的电流能力为0.5~5 A，电流上升和下降时间小于350 ns。单脉冲雪崩能力测试以输出能量值标称器件的能力，电路中存在感性放电时，则必须关注SBD的抗单脉冲雪崩能量的能力。