《表2 Sence-Switch型p FLASH单元耐久性电参数统计Tab.2 Electrical parameters statistics of Sence-Switch p FLASH cel

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《Sence-Switch型pFLASH单元制备及特性》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

注:括号中表示与NERS/PGM-Cycle=10时的耐久性相比，“↑”表示增加，“↓”表示下降。

本文基于上述Sence-Switch型p FLASH单元“开/关”态特性，进一步研究了其循环擦/写的耐久性特性，即T1/T2管阈值电压与循环擦/写次数关系，以及T2管“开”态驱动电流/“关”态漏电流与NERS/PGM-Cycle关系，具体数据如图6（a），（b） 和表2所示。由数据统计可知，当NERS/PGM-Cycle<11 000时，T1/T2管编程态的阈值电压与T2管“开”态驱动电流均随NERS/PGM-Cycle增加而呈现减小趋势，尤其当NERS/PGM-Cycle=11 000时，其T2管“开”态驱动电流下降约19.40%，而T1/T2管擦除态的阈值电压却随NERS/PGM-Cycle增加而略有增加，T2管“关”态的漏电流基本保持在0.1 p A/μm量级，几乎无变化。其中“开”态驱动电流下降主要归因于循环擦/写应力引起隧道氧化层和SPACER介质层产生了缺陷，并引入了陷阱电荷，增加了轻掺杂漏（lightly doped drain，LDD）区的耗尽区，进而引起源/漏串联电阻增大[13-14]。同时，为了进一步证实表面沟道界面特性的变化，研究了T1/T2管最大跨导（gm，max）和亚阈值摆幅（S）与NERS/PGM-Cycle的关系，具体数据如图6（c）和（d）所示，NERS/PGM-Cycle对gm，max的影响不显著，而对T1/T2管的S影响非常明显，尤其当NERS/PGM-Cycle>2 000时，S几乎与NERS/PGM-Cycle呈线性增加。