《表2 同质结和异质结太阳电池的电性能参数[24]Tab.2 Electrical characteristics parameters of the homo-and hetero-junction

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《AlGaInP材料在高效多结太阳电池中的应用》

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提高Al Ga In P单结电池的性能除了通过改善外延工艺条件外，还可以通过优化电池结构的方式来实现。2014年，X.Y.Li等人[24]使用Aixtron 2600型MOVPE设备制备了带隙约为2.05 e V的Al0.13Ga In P子电池，在AM0太阳光谱1倍非聚光（AM0，1sun）条件下光电转换效率为10.04%，但由于Al In P和Al0.13Ga In P之间无有效的界面钝化，限制了其短路电流的提升。为解决上述问题，制备了四种不同结构的Al Ga In P单结电池，其电性能参数如表2[24]所示，可以看出使用Ga In P材料替代Al Ga In P材料作为发射区或者基区，即采用Ga In P/Al Ga In P异质结构，可有效提升电池的短路电流，这是由于此结构扩展了电池的长波响应范围，但与此同时，会存在吸收时的热声子损失以及异质结构中Al组分突变引起的界面缺陷，从而限制了其性能的进一步提高。