《表2 AlGaInP/Ge双结电池性能参数》

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《基于Ge衬底的高带隙AlGaInP太阳电池研究》

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图4给出了在AM1.5G光谱条件下不同Al组分的AlGaInP/Ge双结电池的光照J-V特性。出随着Al组分的降低，短路电流密度（Jsc）提高，与外量子效率（EQE）测试结果相一致。从表2给出的AlGaInP/Ge双结电池性能参数可看出，Al组分降低，开路电压稍有降低，这是由于AlGaInP的带隙变窄；同时因更高的Al组分将引入更多的氧系缺陷使AlGaInP材料质量变差，则随着Al组分的降低，电池的填充因子（FF）变高[7]。Al组分从10%减至6%，AlGaInP/Ge双结电池的转换效率从10.01%增至14.86%。