《表2 硅片正、背面的实验结果》

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《多晶硅片单面制绒工艺的研究》


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从图4可以看出,2种制绒工艺均采用硝酸、氢氟酸及水的混合液作为腐蚀液,反应为各向同性腐蚀,会形成沟槽状腐蚀表面。2种制绒工艺下多晶硅片正面微观形貌腐蚀坑的密度、分布均匀性差异不大,这从表2的硅片正面绒面反射率的数值可以体现。