《表1 相同抛光参数下, 硅片截面样品的抛光情况》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《探究消除离子抛光截面样品上波纹现象的方法》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

为了探究截面样品上产生波纹现象的原因，首先采用单晶硅片（苏州晶矽），通过上述离子抛光的方法制备了一批截面样品。这批样品在抛光的过程中参数全部一致，均为最常用的参数:加速电压5ke V，离子束流10~30μA，抛光时间3 h。而结果如表1所示，抛光的深度和平整度都很不相同。在这些结果中，作者发现，当硅片的抛光深度L<100μm时，抛光出的截面不平整，均出现了与图1a一样的波纹；而当抛光深度超过150μm时，没有波纹，截面平整。相同抛光时间、抛光参数都一致的情况下，获得的截面状况不同，抛光深度也不相同。作者从抛光深度出发，考虑了影响抛光效果的因素。