《表3 CP133抛光时间对制绒硅片少子寿命及其相应的Voc-imp的影响[w (NaOH) =2%]》

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《化学抛光对硅基异质结太阳电池性能的影响》

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观察图4可以清晰地看出不同抛光时间的制绒硅片衬底对电池各个参数的影响，随着抛光时间的增加，电池开路电压Voc、填充因子Ff逐步增加，串联电阻Rs逐步下降，短路电流Jsc-QE也呈现下降趋势。这是因为随着CP133化学抛光液抛光硅片表面时间的增加，金字塔谷底变得更加圆滑，外延减少，提高了薄膜质量，降低了载流子的复合，因此串联电阻下降，而它的下降会使填充因子Ff提升，而且抛光时间增加，金属Na残留减少，使界面复合下降，钝化效果改善（如表3所示），开路电压提升。但是时间过长，平滑部分过多，沟壑越来越大[如图3（e）所示]，金字塔减反射作用减弱，导致反射增强，因此短路电流密度总体呈下降趋势。