《表2 不同掺杂原子的有效空穴浓度及其少子寿命[78]》

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《2019年中国光伏技术发展报告(3)》

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1)提高吸收层的载流子浓度和寿命的研究。CdTe由于自补偿效应，其空穴浓度一直是限制器件开路电压提高的重要因素之一[75]。NREL的COLEGROVE等[77]采用热扩散的方法探究了P、As、Sb不同原子对Cd Te的掺杂机理，结果表明，半径大的原子通过Te的子晶格的扩散速率较小，3种原子在晶界处的扩散速率都很大；在热扩散之前对CdTe采用CdCl2退火处理，可以降低晶粒内部缺陷，提高掺杂效率；最终采用P和As掺杂的Cd Te空穴浓度均达到了1016 cm-3，如图19所示。美国特拉华大学的MCCANDLESS等[78]采用改良的气相输运法，沉积过程中采用淬冷工艺在原位进行P、As、Sb掺杂，实验表明，As和Sb掺杂的Cd Te空穴浓度可以达到1016 cm-3，且与Cd S/Cd Te结构中少子寿命相当，如表2所示。