《表4 处理3中制绒硅片的少子寿命及相应的Voc-imp[w (NaOH) =1%]》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《化学抛光对硅基异质结太阳电池性能的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

从表4可以看出，随着抛光时间的增加，成为器件的硅片的少子寿命呈现先上升后下降的趋势。这是因为随着腐蚀时间的增加，金字塔谷底更加平滑，外延减少，钝化效果提升，成膜更加均匀；但是随着腐蚀时间的进一步延长，沟壑所占面积增加，而相比于（111）晶面来说，平坦的沟壑处表面因与未腐蚀前的硅片表面更加平行而使得所处表面中的（100）晶面比重更大，而（100）晶面相比于（111）晶面悬挂键密度更高，更难以钝化，而且由于金字塔偏小导致沟壑的数量密度比质量分数为2%的NaOH溶液制绒的硅片的沟壑数量密度要高，所以沟壑在整个硅片中所占比重会明显增加，以上多种因素的共同作用下，钝化效果变差。