《表2.1不同形核熔化工艺硅锭少子寿命值》

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《异质形核生长高效多晶硅研究》

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从表2.1中可以看出，Si O2异质形核全熔工艺硅锭少子寿命平均值为7.02μs，略高于同质形核半熔工艺，结合图2.2硅块侧面少子寿命扫描图，从硅块少子寿命扫描图2.2看，中间区域硅块底部形核，底中部长晶优秀，顶部少量位错增长；边角区域存在坩埚侧壁长晶，因长晶界面趋平，抑制了侧壁形核横向长晶趋势。同时，底部红区缩短至35mm，铸锭出材率可以直接增加。