《表1 处理1中制绒硅片的少子寿命和相对应的Voc-imp》

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《化学抛光对硅基异质结太阳电池性能的影响》

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图2给出金字塔侧面的SEM图。采用了CP133化学抛光液对前述清洗制绒后的硅片进行各向同性腐蚀，以使金字塔谷底钝化。从图2可以看到，金字塔谷底明显钝化，由“V”型[图2（a）]变成了“U”型[图2（b）]。这种形状的谷底利于非晶硅薄膜均匀沉积，但不易于薄膜外延生长[14-15]。研究中发现，抛光液的温度对腐蚀效果有较大的影响。当抛光液的温度在3 0℃以下时，抛光并经非晶硅钝化后（上述处理简称为处理1），硅片少子寿命如表1所示，其中Voc-imp表示暗含开路电压。