《表1 蓝光InP量子点及其发光二极管器件研究进展》

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《无镉无铅环保型蓝光量子点及其发光二极管器件》

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表1总结了蓝光InP量子点及其发光二极管器件的研究进展。导致蓝光InP QLEDs器件效率较低的原因主要有两方面。一方面是蓝光InP量子点材料表面缺陷相对较多，其PLQY较低；另一方面是器件中从空穴传输层的最高占据分子轨道（Highest Occupied Molecular Orbital，HO-MO）到蓝光量子点的价带顶的空穴势垒较大，载流子注入较为困难，传输效率较低，需要提高材料性能和优化器件结构来进一步改进[28-29]。