《表2 加入不同浓度CsPbBr3量子点的器件性能数值》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《异质形核构筑的高效钙钛矿发光二极管》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

LED器件的电流密度-电压特性及性能测试结果如图6所示。图6（a）显示，与基础器件相比，当加入CsPbBr3量子点浓度为0.025wt%和0.050wt%时，器件漏电流降低，说明引入适量的量子点有利于提高CH3NH3PbI3薄膜质量。而当浓度为0.100wt%时，由于CH3NH3PbI3薄膜出现了大量孔洞，疏松多孔的形貌导致漏电流的增加。从图6(a）—(c）中可以看出，随着量子点浓度从0wt%增加到0.100wt%，器件性能均处于先增长后衰减的状态。加入CsPbBr3量子点浓度0.050wt%时，器件拥有较低的开启电压（1.0V）、最大的亮度（1.14cd/m2），以及最高的外量子效率（0.17%）。结合之前光学性质的测试，分析其原因主要是两方面。一是因为钙钛矿晶粒尺寸的减小，注入的电子空穴被限制在晶粒当中，更加有利于发生有效的辐射复合；二是因为量子点表面多余的丁胺配体有效钝化界面处缺陷，减少了缺陷捕获电子空穴的几率，更多的电子空穴发生辐射复合。而浓度为0.100wt%时，器件亮度与外量子效率最低（见表2），这主要是因为CH3NH3PbI3薄膜形貌结构疏松，孔洞大，缺陷多导致电学性能差。图6(d）为器件在4V电压下的电致发光谱图，从图中可以看出，与光致发光谱图一致，随着量子点浓度增加，这四种器件的电致发光强度也呈现先增加后减小的趋势。当量子点浓度为0.050wt%，器件电致发光强度最强，发射峰位于772nm左右，处于近红外位置，并且半峰宽约为43nm，说明CH3NH3PbI3薄膜的辐射复合效率高并且发出的颜色较纯。而浓度增加到0.100wt%时，CH3NH3PbI3薄膜结构疏松，产生大量孔洞，导致器件电致发光强度大大地衰减。除此之外，由于CH3NH3PbI3薄膜中缺陷态的减少，电致发光峰位也出现轻微的蓝移现象。