《表1 CH3NH3PbI3薄膜的光致发光衰减谱拟合的数值》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《异质形核构筑的高效钙钛矿发光二极管》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

加入不同浓度量子点的CH3NH3PbI3薄膜的光致发光寿命拟合数值见表1。载流子寿命随着量子点浓度增加而逐渐增长，在浓度为0.050wt%时的CH3NH3PbI3薄膜载流子寿命达到最长（τ1=87.4ns和τ2=128.6ns），这是因为量子点表面多余的丁胺配体对钙钛矿薄膜中晶界处缺陷产生钝化作用。但是当进一步增大量子点浓度到0.100wt%时，薄膜的载流子寿命降低，是因为CH3NH3PbI3薄膜中出现的孔洞作为了非辐射复合中心促进了载流子复合。因此，光致发光强度的增强和载流子寿命的增长，归因于晶粒减小与缺陷态减少共同作用的结果。