《表2 不同波长散射光和衰减后的入射光的光电流值》

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其次,本文采用图6所示的装置,通过探测器检测不同波长散射光的光生电流值,分析本实验结果中瑞利散射的贡献程度。已知硅光电二极管(SGPN125MQ)对450,532和650nm入射光的响应度分别为0.22,0.40和0.67A/W,两片中性衰减片的衰减总倍数为1 000。测得的入射、散射光的光电流值如表2所示。