《表1 0 降温过程中不同NH3流量下GaN量子点的尺寸和密度》

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《S-K方法外延GaN量子点的系统分析》

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本节主要研究Ⅴ/Ⅲ比对GaN量子点的影响。在优化Ⅴ/Ⅲ实验过程中，对于每个样品，我们保持TEG的流量（28.2μmol/min）不变，改变NH3的流量，样品的其他生长条件完全一致，具体生长参数如表1所示。对Ⅴ/Ⅲ为1 120、1 920和2 720条件下获得的三个样品分别编号为V1、V2和V3。生长GaN量子点的实验过程：衬底达到730℃后，通入28.2μmol/min的TEG和一定量的NH3进行GaN生长；GaN量子点生长之后，保持温度不变并关闭TEG和NH3阀门进行生长中断；然后开始降温，在降温过程中要通入600 sccm NH3保护GaN量子点，防止发生分解。