《表3 GaN量子点生长条件-中断时间》

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《S-K方法外延GaN量子点的系统分析》

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为了研究生长中断过程对于GaN量子点生长的影响，我们固定量子点其他生长条件不变，改变生长中断时间，观察获得的GaN量子点的形貌。生长参数如表3所示，生长中断时间分别为15 s、30 s和45 s的样品编号为I1、I2和I3。大致生长流程为：GaN生长6 s结束后进入生长中断，关闭TEG和NH3阀门并保持温度不变，三个样品中断时间不同，中断完成之后样品在通入600 sccm NH3氛围保护下降温。