《表2 MOVPE生长GaN的主要表面反应》

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《GaN-MOVPE生长的气相反应中自由基的作用》

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a) S指黏附系数，0≤S≤1表示本文估算值.

表1列出了GaN-MOVPE生长的主要气相反应，包括热解反应、加合反应和自由基参与的反应.模拟分别考虑由简单到复杂三种模型:（1）基准反应（G1～G5）；（2）包含·H自由基的反应（G1～G8）；（3）包含·NH2自由基的反应（G1～G11）.表2列出了GaN生长的主要表面反应.由于表面反应通常在高温下进行，一般认为表面反应速率远大于气体输运速率，即生长为输运控制，因此假设所有表面反应的黏附系数S=1，活化能为0.由于在MOVPE中通常采用很高的V/III比，生长速率取决于到达表面的含Ga粒子的通量.因此，表2为不考虑NH3的表面反应.如无特殊说明，反应动力学模拟皆包含了表2列出的表面反应（S1～S5）.