《表1 GaN-MOVPE生长的主要气相反应, 包括热解反应 (G1～G2) 、加合反应 (G3～G5) 、自由基反应 (G6～G11)》

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《GaN-MOVPE生长的气相反应中自由基的作用》

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a) GaCH3简称MMG；b) 反应速率常数k=ATnexp（–Ea/RT），其中，Ea为活化能，kcal mol-1；A为指前因子，（cm3/mol） α-1s–1；α为反应级数，n为温度指数.

（5） 对称轴处的边界条件: