《表1 MOVPE和MBE的主要工艺特点对比Tab.1 Main process features comparison between MOVPE and MBE》

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《AlGaInP材料在高效多结太阳电池中的应用》

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在二十世纪八十年代，研究人员发现使用液相外延和氯化物气相外延很难制备高质量的Al Ga In P材料，这是由于Al具有较大的扩散系数等原因造成的[15]。1982年，H.Asahi等人[16]通过分子束外延（MBE）成功制备了Al Ga In P材料，之后生长了可视光波段（0.66~0.68μm）的双异质结激光器[17]。同年，T.Suzuki等人[18]通过金属有机气相外延（MOVPE）成功制备了Al Ga In P材料，并将其应用在Ga In P/Al Ga In P双异质结激光器（可视光波段670~680 nm）上[19]，可在25和50℃条件下，稳定工作2 000 h以上，表现出优异的性能及可靠性。MOVPE相比于MBE，具有低成本、高产量的优点，适用于规模化生产，因此目前商用空间太阳电池的生产多采用MOVPE[20-21]，表1为两者的主要工艺特点对比。