《表3 生长Ga N缓冲层时气相-表面的化学反应》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《Al预沉积层对金属有机物化学气相沉积方法在Si衬底上生长AlN缓冲层和GaN外延层的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

在这个过程中，在MOCVD反应室中通入反应气体TMGa和NH3。在反应室中发生如表3所示的化学反应[13]，其中Ga原子被衬底表面捕获（S8-S10）；沉积在Al N表面的Ga与气氛反应生成Ga N形核点（S11）；沉积在Si表面的Ga则形成Ga-Si合金（S12）；衬底上的Si表面部分反应生成SixNy（S13），其余部分不变；在气氛中生成Ga N（G13）并沉积到衬底表面（S14），或被H2带出反应室。