《表1 不预沉积Al层时气相-表面的化学反应》

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《Al预沉积层对金属有机物化学气相沉积方法在Si衬底上生长AlN缓冲层和GaN外延层的影响》

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在这个过程中，向MOCVD反应室通入反应气体TMAl和NH3。由于本文实验的温度范围为900-1000℃，此时NH3只有在有催化剂的情况下才能发生分解反应生成N2和H2，因此反应室中发生了列于表1和表2中的化学反应。其中Al原子被衬底表面捕获（S1-S3）；衬底上的Al反应生成Al N（S4）或生成Al-Si合金（S5）[12]；衬底上的Si表面部分反应生成SixNy（S6），其余部分不变；在气氛中可生成Al N（G7）并沉积到衬底表面（S7），或被H2带出反应室。